Samsung V-NAND 3-bit MLC
Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm
Waga: Maks. 9 g
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Napięcie: 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy:0 - 70
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Rodzina dysków | 990 PRO |
Pojemność dysku | 2 TB |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ kości pamięci | V-NAND |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 6900 MB/s |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Odczyt losowy | 1200000 IOPS |
Zapis losowy | 1550000 IOPS |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |